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国产内存即将到来 可业内却判DDR死刑

作者: admin 日(ri)期(qi): 2019-03-30 人气: - 评论: 0

早在2017年,国内公司进军内存产业的消息便一直甚嚣尘上,其中的代表便是紫光公司,拥有国家政策与资金的扶持之下,终于做出了重要的突破。在今年上半年,凭借英飞凌、奇梦达的基础在DDR3内存上取得了突破,下半年更会推出主流的DDR4。似乎中国已经要赶上国外主流水准,但是业内却传出DDR内存已经过时,新的内存即将取代,这无疑给国内的DDR内存制造厂商当头一棒。

DDR全球格局

DDR内存(cun)(cun)全称是(shi)DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,双倍速(su)率同(tong)步动态(tai)随机(ji)存(cun)(cun)储器)。最早是(shi)由三(san)星提出,由日本电气、三(san)菱、富士通、东芝(zhi)、日立(li)、德州仪器、三(san)星及现(xian)代等八家公司协(xie)议订立(li)的(de)内存(cun)(cun)规格,并得(de)到(dao)了AMD、VIA与SiS等主要芯片组(zu)厂(chang)商的(de)支持。如今已经成为21世纪主流(liu)的(de)内存(cun)(cun)规范。

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目前世界上(shang)主要有3位DRAM领域的(de)大佬,三(san)星、SK海力士以及镁光,这三(san)家占(zhan)据(ju)了(le)市(shi)场上(shang)95%的(de)份额,国内的(de)厂商也(ye)是(shi)希望能(neng)够打破(po)这种局面,让自己(ji)的(de)产(chan)品(pin)在(zai)世界上(shang)占(zhan)有一(yi)席之地。

目前来说,市面上主流的内(nei)存依然是(shi)DDR4,并且DDR5已经蓄势待发,即将进入市场,但即使(shi)是(shi)这样,DDR内(nei)存带(dai)宽的提升速度(du)依然跟不上时代的脚(jiao)步,因(yin)此有(you)业界人士提出DDR内(nei)存即将淘汰(tai)的看(kan)法。

HBM的崛起

取(qu)代者为带宽更高的HBM内存,2020年(nian)就会上市HBM 3内存,2024年(nian)则(ze)有望生(sheng)产出HBM 4内存,届(jie)时带宽可达8TB/s,单插槽容量可达512GB。

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对于(yu)DDR内存(cun)(cun),可(ke)能大家都(dou)还有所了解,但是(shi)对于(yu)HBM内存(cun)(cun),也(ye)只有那些热衷于(yu)DIY组装的玩家才会(hui)知晓。目(mu)前市面上只有HBM 2内存(cun)(cun),核心容量(liang)可(ke)达(da)8Gb,通过TSV技(ji)术可(ke)以实现每个(ge)CPU支(zhi)持(chi)64GB HBM2内存(cun)(cun),每路(lu)插槽的带宽(kuan)可(ke)达(da)2TB/s,而到(dao)了HBM 4时代,每个(ge)CPU支(zhi)持(chi)的容量(liang)可(ke)达(da)512GB,带宽(kuan)超过8TB/s。

相(xiang)比目前AMD的RPYC处理器,其支持8通道(dao)DDR4内存(cun),最高容量能达到2TB,但是带宽只有(you)150GB/s,与HBM内存(cun)相(xiang)比还有(you)所差距(ju)。

AMD在(zai)(zai)2015年发布的Fury系列显卡(ka)上,首(shou)次商用(yong)了(le)(le)第(di)一代(dai)HBM技术(shu),超高的带宽以及极低的占用(yong)面积彻底改变了(le)(le)当时(shi)的显卡(ka)设计,随后NVIDIA也在(zai)(zai)Tesla P100上采(cai)用(yong)了(le)(le)HBM 2 技术(shu)。

总体来说,相(xiang)比于DDR内存(cun),HBM内存(cun)的带宽优势更为明(ming)显,在(zai)一些需(xu)要高带宽的场合中,HBM无疑是更好的选择,比如HPC高性能计算机(ji)行业就非常需(xu)要HBM支持(chi)。

两种内存将长期共存

但目(mu)(mu)前(qian)而(er)言(yan),HBM在(zai)短时(shi)间内(nei)还(hai)无(wu)法(fa)大(da)面积进入市场当中,其(qi)中有两个重要(yao)原(yuan)因(yin),一(yi)个是(shi)目(mu)(mu)前(qian)在(zai)桌面端主(zhu)流的(de)内(nei)存依然还(hai)是(shi)DDR,即(ji)便由(you)于HBM在(zai)带(dai)宽上(shang)更具优(you)势(shi),但是(shi)由(you)于DDR内(nei)存在(zai)容(rong)量上(shang)的(de)极大(da)优(you)势(shi),在(zai)短时(shi)间内(nei)还(hai)无(wu)法(fa)取代(dai);另一(yi)个则是(shi)成本问题了,这(zhei)也(ye)是(shi)最(zui)主(zhu)要(yao)的(de)原(yuan)因(yin),成本的(de)居(ju)高(gao)不下,让(rang)HBM内(nei)存还(hai)无(wu)法(fa)快速融入市场。

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如(ru)(ru)(ru)同(tong)机(ji)械(xie)硬(ying)(ying)(ying)盘(pan)与固(gu)(gu)态硬(ying)(ying)(ying)盘(pan)一样,虽然固(gu)(gu)态硬(ying)(ying)(ying)盘(pan)不论(lun)在(zai)读(du)写速度还是(shi)启动速度等,都远胜(sheng)于(yu)机(ji)械(xie)硬(ying)(ying)(ying)盘(pan),但是(shi)容量以及(ji)价(jia)格,便制约了其发展。现(xian)如(ru)(ru)(ru)今(jin),几乎(hu)大(da)多数电(dian)脑都还有机(ji)械(xie)硬(ying)(ying)(ying)盘(pan)的存(cun)(cun)(cun)在(zai),固(gu)(gu)态硬(ying)(ying)(ying)盘(pan)在(zai)无法在(zai)短(duan)时间取而代之,换而言之,DDR内(nei)存(cun)(cun)(cun)与HBM内(nei)存(cun)(cun)(cun)之间的关(guan)系也是(shi)如(ru)(ru)(ru)此。

并(bing)且如今掌握HBM技(ji)术的(de)(de)厂家相对(dui)更(geng)少,比较知名(ming)的(de)(de)只有(you)三星(xing)与SK海力士,镁(mei)光由于(yu)HMC技(ji)术,因此对(dui)于(yu)HBM技(ji)术并(bing)不热衷,因此在可以预(yu)见(jian)的(de)(de)未来(lai),HBM降低(di)成本(ben)的(de)(de)过(guo)程将是非常缓慢的(de)(de)。

再一个,全球价值720亿美元的DRAM市场上,仅三星一家就占有了46%的市场份额,SK海力士大约在29%,镁光在收购为其代工的华亚科之后,市场份额也在21%,两家韩国公司控制了全球75%的内存市场份额,这种高垄断的形式,也让国内的相关行业非常难受,处处受制。

但是反过(guo)来(lai)说,在(zai)这样高垄断的情况(kuang)下,尤其(qi)是自(zi)己(ji)(ji)还掌握(wo)这HBM技(ji)术之下,更不会主动(dong)去(qu)砸自(zi)己(ji)(ji)的饭碗,更何况(kuang)DDR内存的市(shi)场(chang)依然广大,利(li)润(run)也更高,除非(fei)是镁光(guang)主动(dong)发力,要(yao)不然三星与海力士肯定是要(yao)赚足DDR的利(li)润(run)之后,才会考虑推广HBM。

艰难起步的国产内存

而中国(guo)在DRAM领域中却没有丝毫(hao)的(de)存(cun)(cun)在感,眼看着如此大(da)的(de)市(shi)场却被(bei)这些巨(ju)头瓜分,但(dan)是自(zi)己却无能为(wei)力。好在紫光公司(si)已经在这个(ge)领域中入门,下半年将会继续推(tui)出DDR4内(nei)存(cun)(cun)。但(dan)值(zhi)得注意(yi)的(de)是,虽然紫光已经正式推(tui)出了自(zi)己的(de)内(nei)存(cun)(cun),但(dan)是在价格上(shang)却与(yu)国(guo)外的(de)内(nei)存(cun)(cun)相差无几。

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这里面,除了紫光量(liang)产的DDR3内存太少(shao),无法左右市场价格之外,还有(you)一个原因便是(shi)其主要技(ji)术都是(shi)来自于奇梦达,而这家(jia)公司的技(ji)术已是(shi)十多年前的了,导致(zhi)在DRAM制作工艺(yi)上落(luo)后,良(liang)品率极(ji)低,最后不(bu)得不(bu)在价格上进行妥(tuo)协。

并且在晶圆上(shang),大陆(lu)企业相较于国(guo)外也(ye)落后许多,可以这么(me)说,在这条(tiao)道路上(shang),我国(guo)的企业基本都是从零开(kai)始(shi)。不同于其它行业,可以依(yi)靠人力(li)以及资金来解决问(wen)题,在这些(xie)领(ling)域中(zhong),唯(wei)有技术才是解决一切(qie)的关键(jian)。

而J9九游会AG 恰恰缺(que)少的(de)就是(shi)相(xiang)关(guan)的(de)技术,并(bing)且由于头(tou)部公(gong)司在(zai)相(xiang)关(guan)技术人(ren)(ren)员的(de)把控上异(yi)常严格(ge),在(zai)引(yin)进(jin)相(xiang)关(guan)技术人(ren)(ren)才(cai)时,会导致许多的(de)法律问题。前不久(jiu)就有报道称(cheng)美(mei)光公(gong)司去年(nian)底(di)选择(ze)在(zai)美(mei)国加州提起诉(su)讼,指控台(tai)湾(wan)(wan)联电及大陆的(de)福建晋(jin)华侵(qin)犯他(ta)们的(de)DRAM专利(li)权,窃取(qu)商业(ye)机密(mi),这就是(shi)国内公(gong)司从(cong)台(tai)湾(wan)(wan)华亚科(ke)等公(gong)司抢人(ren)(ren)才(cai)所带来的(de)不利(li)后果之一。

小结

总(zong)的(de)(de)来说,目前国内相关企业依然还有很长的(de)(de)一段(duan)路(lu)要(yao)走,不但要(yao)打破国外的(de)(de)技术垄断,还要(yao)自(zi)己进行创新,紫光(guang)虽然已经能(neng)(neng)够进行DDR3内存的(de)(de)量产,并且DDR4在下(xia)半年也(ye)有望推(tui)出,但是采用的(de)(de)依然是别(bie)人的(de)(de)技术,这(zhei)样也(ye)只能(neng)(neng)沿(yan)着(zhe)别(bie)人的(de)(de)老路(lu)走,即使追(zhui)上去(qu),也(ye)智能(neng)(neng)跟(gen)在别(bie)人的(de)(de)后面。

拥有自己的(de)创新技术,是企业(ye)在(zai)该行(xing)业(ye)中生存的(de)制胜法宝(bao),虽然(ran)在(zai)短期内(nei)HBM技术暂时(shi)不会(hui)取代DDR技术,但是长远来看,国(guo)内(nei)的(de)企业(ye)也可以在(zai)这(zhei)方(fang)面(mian)进行(xing)探(tan)讨,这(zhei)样才可能(neng)实现弯道(dao)超车(che)。




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